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LED芯片常见的质量问题分析和应对方法
发布者:admin 添加时间:2016-12-28 浏览次数:742
1.方向压降高,暗光

A:一种是电极与发光材料为欧姆接触,但接触电阻大,主要由材料衬底低浓度或电极缺损所致。

B:一种是电极与材料为非欧姆接触,主要发生在芯片电极制备过程中蒸发第一层电极时的挤压印或夹印,分布位置。

另外封装过程中也可能造成正向压降变,主要原因有银胶固化不充分,支架或芯片电极沾污等造成接触电阻大或接触电阻不稳定。

正向压降变的芯片在固定电压测试时,通过芯片的电流小,从而表现暗点,还有一种暗光现象是芯片本身发光效率低,正向压降正常。

2.难压焊:(主要有打不粘,电极脱落,打穿电极)

A:打不粘:主要因为电极表面氧化或有胶

B:有与发光材料接触不牢和加厚焊线层不牢,其中以加厚层脱落为主。

C:打穿电极:通常与芯片材料有关,材料脆且强度不高的材料易打穿电极,一般GAALAS材料(如高红,红外芯片)较GAP材料易打穿电极,

D:压焊调试应从焊接温度,超声波功率,超声时间,压力,金球大小,支架定位等进行调整。

3.发光颜色差异:

A:同一张芯片发光颜色有明显差异主要是因为外延片材料问题,ALGAINP四元素材料采用量子结构很薄,生长是很难保证各区域组分一致。(组分决定禁带宽度,禁带宽度决定波长)。

B:GAP黄绿芯片,发光波长不会有很大偏差,但是由于人眼对这个波段颜色敏感,很容易查出偏黄,偏绿。由于波长是外延片材料决定的,区域越小,出现颜色偏差概念越小,故在M/T作业中有邻近选取法。

C:GAP红色芯片有的发光颜色是偏橙黄色,这是由于其发光机理为间接跃进。受杂质浓度影响,电流密度加大时,易产生杂质能级偏移和发光饱和,发光是开始变为橙黄色。

4.闸流体效应;

A:是发光二极管在正常电压下无法导通,当电压加高到一定程度,电流产生突变。

B:产生闸流体现象原因是发光材料外延片生长时出现了反向夹层,有此现象的LED在IF=20MA时测试的正向压降有隐藏性,在使用过程是出于两极电压不够大,表现为不亮,可用测试信息仪器从晶体管图示仪测试曲线,也可以通过小电流IF=10UA下的正向压降来发现,小电流下的正向压降明显偏大,则可能是该问题所致。

5.反向漏电:

A:原因:外延材料,芯片制作,器件封装,测试一般5V下反向漏电流为10UA,也可以固定反向电流下测试反向电压。

B:不同类型的LED反向特性相差大:普绿,普黄芯片反向击穿可达到一百多伏,而普芯片则在十几二十伏之间。

C:外延造成的反向漏电主要由PN结内部结构缺陷所致,芯片制作过程中侧面腐蚀不够或有银胶丝沾附在测面,严禁用有机溶液调配银胶。以防止银胶通过毛细现象爬到结区。
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